在设计中生成RAM / ROM的各种方法有哪些?推断RAM的上电状态或内容是什么?-Lattice-莱迪斯论坛-FPGA CPLD-ChipDebug

在设计中生成RAM / ROM的各种方法有哪些?推断RAM的上电状态或内容是什么?

在设计中有两种方法可以生成RAM和ROM。

您可以为设计编写代码,以便合成工具推断内存,或者您可以实例化预定义的IPexpress或PMI(参数化模块实例化)内存模块。

推断存储器意味着基于代码方面的综合工具使用可编程功能单元(PFU)或嵌入式块RAM(EBR)-PFU(用于小型存储器,EBR用于大型寄存器而不是寄存器)来实现存储器块。

推断存储器的一个优点是该设计几乎可以移植到任何FPGA架构。

另一方面,PMI模块针对莱迪思FPGA进行了优化,IPexpress模块​​仅针对一个FPGA系列进行了优化。

此外,由于推断的内存不是黑盒子,因此该工具可以完全访问时序和区域数据。

但是,FPGA架构的使用效率可能较低。

而且,不能推断出所有类型的存储器。。在这些情况下,您可能更喜欢使用IPexpress或PMI模块。。使用这些模块,您还可以使用Memory Generator轻松创建内存初始化文件。
。如果未指定,则在上电复位后,推断的RAM将初始化为全零。。您还可以设置初始值。
。有关推断内存的更多信息,请参阅Lattice Diamond软件帮助>。进入设计> 。HDL设计输入> 。

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