用户不能随意混合不同的IO Bank电压。
用户必须参考表10-6使用正确的电压,以获取技术说明TN1202中LVCMOS和LVTTL I / O类型的有效混合电压支持:
http://www.latticesemi.com/view_document?document_id=39083
另请注意脚注8,其中说明:在驱动不足或过驱动条件下使用比例输入缓冲器时,HYSTERESIS设置应为NA,CLAMP设置应为OFF,并且不支持UP和KEEPER PULLMODE设置。
用户不能随意混合不同的IO Bank电压。
用户必须参考表10-6使用正确的电压,以获取技术说明TN1202中LVCMOS和LVTTL I / O类型的有效混合电压支持:
http://www.latticesemi.com/view_document?document_id=39083
另请注意脚注8,其中说明:在驱动不足或过驱动条件下使用比例输入缓冲器时,HYSTERESIS设置应为NA,CLAMP设置应为OFF,并且不支持UP和KEEPER PULLMODE设置。
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