为什么有时用户不能在一个存储区中混合使用不同电压的MachXO2输入来实现Lattice Diamond软件中的LVCMOS和LVTTL I / O类型?-Lattice-莱迪斯社区-FPGA CPLD-ChipDebug

为什么有时用户不能在一个存储区中混合使用不同电压的MachXO2输入来实现Lattice Diamond软件中的LVCMOS和LVTTL I / O类型?

用户不能随意混合不同的IO Bank电压。

用户必须参考表10-6使用正确的电压,以获取技术说明TN1202中LVCMOS和LVTTL I / O类型的有效混合电压支持:
http://www.latticesemi.com/view_document?document_id=39083

另请注意脚注8,其中说明:在驱动不足或过驱动条件下使用比例输入缓冲器时,HYSTERESIS设置应为NA,CLAMP设置应为OFF,并且不支持UP和KEEPER PULLMODE设置。

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