描述
选择与Zynq-7000器件合并的闪存器件时，请务必考虑以下后勤标准：
- 该器件是否支持Xilinx工具？
- 该器件是否可以与Zynq器件BootROM配合使用？
- 该器件是否支持U-Boot和Linux等软件？
此外，还有一些设计考虑因素包括：
- 配置方法需要多少个引脚？
- 需要多少闪存？
- Zynq-7000器件的配置速度有多快？
- 管理闪存器件有多难？
根据后勤标准，有三类闪存器件：
- Xilinx经过测试和支持的闪存器件 – 这些器件符合上面列出的物流标准。
这些器件采用Xilinx工具进行回归测试，Xilinx技术支持完全支持它们的使用。 - 已知可以使用闪存器件 – 这些器件在Xilinx工具中并未明确支持，但已知可与Zynq-7000器件配合使用。
其中许多器件使用U-Boot作为备用编程方法进行编程，但是用户可能必须对U-Boot进行源更改才能配置该特定器件。 - 未经验证的闪存器件 – Xilinx未对Zynq-7000器件进行任何测试。
这些器件没有已知问题（但可能存在限制）。用户将负责验证Zynq-7000上的闪存，对U-Boot进行必要的更改并配置器件。
- 有关Xilinx未验证QSPI闪存器件的指南，请参阅（Xilinx答复62743）
- 有关Xilinx未经验证的NAND闪存器件的指南，请参阅（Xilinx答复63798）
- 不兼容的闪存器件 – 这些器件无法在Zynq-7000上运行。
注意： Xilinx技术支持部门无法为使用“已知工作”或“未验证”闪存器件的设计提供帮助。
Xilinx只能为列入“Xilinx测试和支持”的器件提供帮助。
解
QSPI
QSPI的好处：
- 高性能 – QSPI是最快的配置解决方案。
- 低引脚数 – 除SD外，QSPI的配置解决方案选项的引脚数最少。
- 易于管理 – QSPI可在Zynq-7000器件中作为线性存储器访问。此外，不需要坏块管理。
QSPI的缺点：
- 低内存密度 – QPSI在单线性模式下仅支持16 MB，在双线性模式下仅支持32 MB，因为线性QSPI控制器仅支持3字节寻址。
在I / O模式下，需要支持单个密度大于16 MB或双密度大于32 MB的密度。
供应商
| 供应商 | QSPI Flash系列 | 笔记 |
|---|---|---|
| 美光 | N25Q，MT25 | |
| Spansion公司 | 25FL |
|
| 旺宏 | MX25，MX66 |
|
| 华邦 | W25Q |
|
| ISSI | IS25LP |
配置和规格
| 内存配置 | MIO Pins | 线性模式下的最大内存大小 |
|---|---|---|
| QSPI – 单个内存 | 7 | 16 MB |
| QSPI – 双堆栈存储器 | 8 | 32 MB |
| QSPI – 双并行存储器 | 13 | 32 MB |
Xilinx支持的器件
| 闪存器件 | 模式 | 供应商 | 闪光密度 | 电压**** | 支持 类别 |
Xilinx工具** | U-Boot的* | 笔记 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| N25Q64 | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 美光 | 64 Mb | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** | 2013.10 | |
| N25Q128A | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 美光 | 128 Mb | 1.8V / 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.1 | 2013.04 | |
| N25Q256 | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 美光 | 256MB | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.7（补丁） | 2013.04 | |
| N25Q512 | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 美光 | 512MB | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.7（补丁） | 2013.04 | |
| N25Q00 | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 美光 | 1024MB | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.7（补丁） | 2013.04 | |
| MT25QU128 | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 美光 | 128MB | 1.8V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** | 赛灵思v2015.2.01 | |
| MT25QL128 | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 美光 | 128MB | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** | 赛灵思v2015.2.01 | |
| MT25QU256 | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 美光 | 256MB | 1.8V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** | 赛灵思v2015.2.01 | |
| MT25QL256 | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 美光 | 256MB | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** | 赛灵思v2015.2.01 | |
| MT25QU512 | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 美光 | 512 Mb | 1.8V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** | 赛灵思v2015.2.01 | |
| MT25QL512 | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 美光 | 512 Mb | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** | 赛灵思v2015.2.01 | |
| MT25QU01G | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 美光 | 1 Gb | 1.8V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** | 赛灵思v2015.2.01 | |
| MT25QL01G | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 美光 | 1 Gb | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** | 赛灵思v2015.2.01 | |
| MT25QU02G | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 美光 | 2 Gb | 1.8V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** | 赛灵思v2018.1 | |
| MT25QL02G | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 美光 | 2 Gb | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** | 赛灵思v2018.1 | |
| S25FL132K | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | Spansion公司 | 32MB | 3.3V | 已知工作 | 不建议。 | ||
| S25FL164K | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | Spansion公司 | 64MB | 3.3V | 已知工作 | 不建议。 | ||
| S25FL129P | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | Spansion公司 | 128 Mb | 1.8V / 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.4 | 2013.04 | 不建议用于新设计。推荐在所有新设计中使用S25FL127S或S25FL128S |
| S25FL128S | 四合一模式 – 单一 | Spansion公司 | 128 Mb | 1.8V / 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.4 | 2013.04 | |
| S25FL128S | 四路模式 – 双堆叠和双路并行 | Spansion公司 | 128 Mb | 1.8V / 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.7（补丁） | 2013.04 | |
| S25FL127S | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | Spansion公司 | 128MB | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** | 赛灵思v2015.2.01 | |
| S25FS128S | 四模式 – 单身 | Spansion公司 | 128MB | 1.8V | 不相容 | Spansion S25FS系列不支持双输出（0x3B）和四输出（0x6B）读命令 | ||
| S25FS128S | 四路模式 – 双堆叠 | Spansion公司 | 128MB | 1.8V | 不相容 | Spansion S25FS系列不支持双输出（0x3B）和四输出（0x6B）读命令 | ||
| S25FS128S | 四路模式 – 双并联 | Spansion公司 | 128MB | 1.8V | 不相容 | Spansion S25FS系列不支持Quad Out（0x6B）读取，这是双并行所必需的 | ||
| S25FL256S | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | Spansion公司 | 256MB | 1.8V / 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.7（补丁） | 2013.04 | |
| S25FL512S | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | Spansion公司 | 512MB | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.7（补丁） | 2013.04 | |
| S70FL01GS | 四路模式 – 双堆叠 | Spansion公司 | 1024MB | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.7（补丁） | 2013.04 | 这部分是单个封装中的两个512 Mb裸片（Dual Stacked）。 |
| S70FS01GS | 四合一模式 – 单一 | Spansion公司 | 1024MB | 1.8V | 不相容 | 访问前128 MB位（16MB）以上的存储器位置需要四字节地址模式或四字节地址命令。 | ||
| MX25L25635F | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 旺宏 | 256 Mb | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** | 赛灵思v2015.2.01 | 2015.3 FSBL及更早版本需要修改。请参阅（Xilinx答复65425） 。 |
| MX66L51235F | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 旺宏 | 512 Mb | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** | 2015.3 FSBL及更早版本需要修改。请参阅（Xilinx答复65425） 。 | |
| W25Q128FV | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 华邦 | 128MB | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.7（补丁） | 2013.07 | |
| W25Q128BV | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | 华邦 | 128MB | 已知工作 | 2013.07 |
对于汽车和工业级等级：仅在禁用反馈时钟（QSPICLK <40MHz）时满足保持时序（tHOmin = 0ns）。 |
||
| IS25LP064 | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | ISSI | 64 Mb | 3.3V | 已知工作 | 2013.07 | ||
| IS25LP128 | 四路模式 – 单堆叠和双堆叠 | ISSI | 128 Mb | 3.3V | 已知工作 | 2013.07 | ||
| IS25LP128 | 四路模式 – 双并联 | ISSI | 128 Mb | 3.3V | 不相容 | 不支持快速读取QUAD OUTPUT（0x6B）。 | ||
| IS25WPxxx | 四路模式 – 单路，双路堆叠和双路并联 | ISSI | xxx Mb | 1.8V | 未验证 |
对于扇区大小超过64 KB且使用早于2015.3的SDK版本的QSPI闪存器件，请参阅（Xilinx答复60539）
* 2013.04是U-Boot版本号（2013年4月发布的U-Boot），而不是Xilinx工具版本。
** Xilinx Tools指示ISE（iMPACT）版本。有关Vivado和SDK Flash编程版本，请参阅UG908 “支持的Zynq-7000器件配置的闪存器件”。
***可能需要ISE14.7和SDK 2013.3的补丁来在iMPACT和SDK中对这些闪存器件进行编程。
相同的补丁适用于两者。
请参阅（Xilinx答复59275） 。
****如果闪存标记为Xilinx支持特定电压（例如1.8V），则可以认为其他电压（例如3.3V）的等效闪存已知工作。
有关Xilinx未验证QSPI闪存器件的指南，请参阅（Xilinx答复62743） 。
NAND
NAND的好处：
- 高存储密度 – NAND是大密度器件的廉价解决方案。
NAND的缺点：
- 较低的器件性能 – 最大带宽小于QSPI。
- 高引脚数 – NAND器件需要比QSPI更多的引脚。
- 难以管理 – NAND器件难以管理。坏块是一个常见的问题，需要设计决定如何管理特定系统设置的坏块。
笔记：
只有On-Die ECC和1位ECC NAND器件可与Zynq-7000 SoC一起使用。
- 为了使用带有Zynq-7000 SoC的On-Die ECC，闪存必须是MICRON，并且必须支持功能地址90h中的第3位（启用/禁用ECC）。
Zynq-7000 SoC只能使用1个芯片选择的NAND器件。
供应商
| 供应商 | NAND闪存系列 |
|---|---|
| 美光 | 片上ECC |
| Spansion公司 | S34 |
Micron on-die ECC NAND
Micron NAND器件通常需要多位ECC，因此只需使用具有片上ECC支持的器件。查看特定数据表以获取片上ECC支持。
配置和规格
| 内存配置 | MIO Pins |
|---|---|
| NAND – x8 | 15 |
| NAND – x16 | 23 |
Xilinx支持的器件
| 闪存器件 | 模式 | 供应商 | 闪光密度 | 电压**** | 功能集 | 支持 类别 |
Xilinx工具** | U-Boot的* | 笔记 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT29F1G08AxxDxxx-XXE | X8 | 美光 | 1 Gb | 1.8 / 3.3V | d | 不相容 |
on-DIE ECC但在功能地址90h中缺少所需的第3位（启用ECC）。 | ||
| MT29F1G08AxxDxxx-E | X8 | 美光 | 1 Gb | 1.8 / 3.3V | d | 不相容 | on-DIE ECC但在功能地址90h中缺少所需的第3位（启用ECC）。 | ||
| MT29F1GxxAxxDxxx | X8，X16 | 美光 | 1 Gb | 1.8 / 3.3V | d | 已知工作 |
on-DIE ECC | ||
| MT29F1GxxAxxExxx | X16 | 美光 | 1 Gb | 1.8 / 3.3V | Ë | 不相容 | 需要> 1位ECC（无on-DIE） | ||
| MT29F2GxxAxxExxx | X8，X16 | 美光 | 2 Gb | 1.8 / 3.3V | Ë | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.4 | 2013.04 | on-DIE ECC |
| MT29F2GxxAxxFxxx | X8，X16 | 美光 | 2 Gb | 1.8 / 3.3V | F | 不相容 | 需要> 1位ECC（无on-DIE） | ||
| MT29F4GxxAxxDxxx | X8，X16 | 美光 | 4GB | 1.8 / 3.3V | d | 已知工作 | on-DIE ECC | ||
| MT29F8G08AxxDxxx | X8 | 美光 | 8 Gb | 1.8 / 3.3V | d | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.4 | 2013.4 | on-DIE ECC |
| MT29F8G08AxxBxxx | X8 | 美光 | 8 Gb | 1.8 / 3.3V | 乙 | 不相容 | 需要> 1位ECC（无on-DIE） | ||
| MT29F16G08AJADxxx | X8 | 美光 | 16 GB | 3.3V | d | 不相容 | 需要2个CS | ||
| S34ML01G1 | X8 | Spansion公司 | 1 Gb | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** | 需要1位ECC | ||
| S34ML01G2 | X8 | Spansion公司 | 1 Gb | 3.3V | 不相容 | 需要2位ECC | |||
| S34ML02G1 | X8，X16 | Spansion公司 | 2 Gb | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** | 需要1位ECC | ||
| S34ML04G1 | X8 | Spansion公司 | 4GB | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
ISE 14.7 | 2013.04 | 需要1位ECC | |
| S34ML04G2 | X8 | Spansion公司 | 4GB | 3.3V | 不相容 | 需要2位ECC | |||
| S34ML08G101TFI000 | X8 | Spansion公司 | 8 Gb | 3.3V | 未验证 | 需要1位ECC | |||
| S34ML08G101TFI200 | X8 | Spansion公司 | 8 Gb | 3.3V | 不相容 | 需要2个CS |
* 2013.04是U-Boot版本号（2013年4月发布的U-Boot），而不是Xilinx工具版本。
** Xilinx Tools指示ISE（iMPACT）版本。有关Vivado和SDK Flash Programming版本，请参阅（UG908）“支持Zynq-7000器件配置的闪存器件”。
****如果闪存标记为Xilinx支持特定电压（例如1.8V），则可以认为其他电压（例如3.3V）的等效闪存已知工作。
也不
NOR的好处：
- 易于管理 – NOR可以在Zynq器件中作为线性存储器访问。此外，坏块并不像NAND那样令人担忧。
NOR的缺点：
- 高引脚数 – NOR几乎需要所有54个MIO引脚。
- 低密度 – NOR密度与QSPI相当。
供应商
| 供应商 | NOR Flash系列 |
|---|---|
| 美光 | M29EW |
配置和规格
| 内存配置 | MIO Pins | 最大内存大小 |
|---|---|---|
| NOR（BPI） | 40 | 64 MB |
Xilinx支持的器件
| 闪存器件 | 模式 | 供应商 | 闪光密度 | 电压 | 支持 类别 |
Xilinx工具** |
U-Boot的* |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 28F512M29EWL | — | 美光 | 512 Mb | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.7 | 2013.04 |
| 28F256M29EWH | — | 美光 | 256 Mb | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.4 | 2013.04 |
| 28F128M29EWH | — | 美光 | 128 Mb | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.4 | 2013.04 |
| 28F064M29EWT | — | 美光 | 64 Mb | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.4 | 2013.04 |
| 28F032M29EWT | — | 美光 | 32 Mb | 3.3V | 赛灵思 支持的 |
Vivado ** / ISE 14.4 | 2013.04 |
* 2013.04是U-Boot版本号（2013年4月发布的U-Boot），而不是Xilinx工具版本。
** Xilinx Tools指示ISE（iMPACT）版本。有关Vivado和SDK Flash编程版本，请参阅UG908 “支持的Zynq-7000器件配置的闪存器件”。
的eMMC：
Zynq-7000 SoC预计可与eMMC器件配合使用，因为该协议与SD相同，但尚未得到广泛验证。
用户必须小心满足所有时序要求，因为它们可能符合或不符合eMMC。
eMMC闪存不是 Zynq-7000系列的主要启动器件，但可以用作辅助启动器件。
更多详细信息，请参阅（UG585） Zynq-7000 SoC技术参考手册 。
SD：
SD的好处：
- 高密度 – SD具有与NAND相当的密度。
- 轻松管理 – 器件通常作为文件系统进行管理。在用户设计中不需要管理坏块。
SD的缺点：
- 性能低 – SD比QSPI慢
- 机械注意事项 – SD卡需要连接器。
eMMC器件不是主引导器件，但可以用作辅助引导源。
有关详细信息，请参阅Zynq-7000 SoC软件开发人员指南（UG821）
配置和规格：
| 内存配置 | MIO Pins | 最大内存大小 |
|---|---|---|
| SD卡 | 6 |
任何尺寸 |
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