完全切换IO的简化模型看起来很像VCCIO或GND的电阻(当前输出状态为)。
- 完全切换的IO输出电阻将根据器件工艺和输出电流设置而变化。
- 一阶近似是完全切换的IO如下所示:
- 20 mA输出电流设置为12欧姆
- 16 mA输出电流设置时为15欧姆
- 12 mA输出电流设置时为18欧姆
在8 mA输出电流设置下为26欧姆
4 mA输出电流设置时为52欧姆
当IO在VCCIO的+/- 0.3v或IO切换到的GND电压范围内时,IO看起来像电阻器。
等效输出电阻通过它的电流非常小,所以它的表现很像电阻,可以用DVM测量。
如果您想检查这一点,请将DVM测试导线连接到输出当前切换到的电压轨,然后再将其他DVM导线连接到IO,并确保在探测IO时佩戴接地腕带。。对于有效的DVM读数,输出IO应在测试时间内保持完全切换,且状态之间不会切换。
。在边缘时间内切换IO往往看起来像一个高得多的电阻,与电流源在输出引脚上拉或下拉并联,直到IO进入再次被认为完全切换的区域。
。完全切换(或DC)和切换(或高速)IO模型都在设备的IBIS模型中考虑,而在HSPICE模型中更是如此。
。除了简单的电阻和电流源近似,您可以为封装添加IO电容,一些L系列和并联C,其值类似于IBIS模型中器件封装引脚的值。
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