问题描述
对于所有采用校准输入端接的MCB设计的通用ES Spartan-6器件，应使用特定的引脚位置作为RZQ参考电阻。
对于通用ES XC6SLX16-2CSG324CES器件，Spartan-6 FPGA MCB设计的MIG v3.1输出需要针对正确的行为进行特定的RTL更改。
从MIG v3.2开始，不需要这些RTL更改。
请使用最新版本的MIG。
本答复记录详述了所有设计要求。
解决/修复方法
所有通用ES Spartan-6器件的要求 ：
对于计划使用校准输入端接的设计，应将以下引脚位置用于RZQ参考电阻：
LX器件
XC6SLX16-2CSG324CES
==================
MCB Bank 1 – 针脚M13
MCB Bank 3 – 引脚C2
XC6SLX45-2CSG324CES
==================
MCB Bank 1 – 针脚M14
MCB Bank 3 – 针脚L6
XC6SLX45-2FGG484CES
==================
MCB Bank 1 – 引脚M19
MCB Bank 3 – 针脚K7
XC6SLX150-2FGG484CES
====================
MCB Bank 1 – 引脚M19
MCB Bank 3 – 针脚K7
XC6SLX150-2CSG484CES
====================
MCB Bank 1 – 引脚W20
MCB Bank 3 – 针脚H6
LXT器件
XC6SLX45T-2FGG484CES
==================
MCB Bank 1 – 引脚P19
MCB Bank 3 – 针脚K7
XC6SLX150T-2FGG484CES
====================
MCB Bank 1 – 引脚P19
MCB Bank 3 – 针脚K7
XC6SLX150T-2FGG676CES
====================
MCB Bank 1 – 引脚U21
MCB Bank 3 – 针脚M10
MCB Bank 4针M4
MCB Bank 5针M21
使用MIG v3.1时，通用ES Spartan-6器件XC6SLX16-2CSG324CES的设计要求 ：
注意： MIG v3.2和转发不需要这些RTL更改。
请使用最新版本的MIG。
要求1
如器件勘误表（文件EN113）中所述：
http://www.xilinx.com/support/documentation/spartan-6.htm#131538
此通用ES器件不完全支持MCB启动顺序中定义的硬件校准操作。
请注意，任何Spartan-6器件都不支持最初在MCB用户指南中引用的DQ数据位的每位偏移校正硬件校准。
因此，要确保可靠的内存接口：
- 遵循推荐的PCB布局指南，以最大限度地减少DQ位之间的偏差。
- 对于MIG 3.1，通过编辑最顶层MIG设计文件中的校准参数（例如，<component name> .v或example_top.v），将DQS选通中心置于DQ读取数据捕获窗口中，如下所示：
Bank1中的MCB
C1_MC_CALIB_BYPASS =“否”
C1_MC_CALIBRATION_MODE =“NOCALIBRATION”
C1_MC_CALIBRATION_DELAY =“HALF”
MCB在Bank 3
C3_MC_CALIB_BYPASS =“否”
C3_MC_CALIBRATION_MODE =“NOCALIBRATION”
C3_MC_CALIBRATION_DELAY =“HALF”
请参考Spartan-6 FPGA内存控制器用户指南（UG388）：
http://www.xilinx.com/support/documentation/ip_documentation/ug388.pdf
有关更多信息：
校准参数 – 见第3章
PCB布局指南 – 见第4章
MCB启动顺序 – 请参阅第5章
注意：默认情况下，MIG 3.2（11.3）版本中将对这些更改进行处理。
将不再需要手动修改。
要求2
对于MIG 3.1，在“mmb_raw_wrapper.v”文件的底部插入以下Verilog代码行，就在“endmodule”语句之前。
// DQS PULLDOWN
生成
if（C_MEM_TYPE ==“DDR”|| C_MEM_TYPE ==“MDDR”||（C_MEM_TYPE ==“DDR2”&&（C_MEM_DDR2_DIFF_DQS_EN ==“NO”）））begin：gen_dqs_pullupdn
PULLDOWN dqs_pulldown（.O（mcbx_dram_dqs））;
结束其他开始：gen_dqs_pullupdn_ds
PULLDOWN dqs_pulldown（.O（mcbx_dram_dqs））;
PULLUP dqs_n_pullup（.O（mcbx_dram_dqs_n））;
结束
endgenerate
// DQSN PULLUP
生成
if（（C_MEM_TYPE ==“DDR”|| C_MEM_TYPE ==“MDDR”||（C_MEM_TYPE ==“DDR2”&&（C_MEM_DDR2_DIFF_DQS_EN ==“NO”）））&& C_NUM_DQ_PINS == 16）begin：gen_udqs_pullupdn
PULLDOWN udqs_pulldown（.O（mcbx_dram_udqs））;
如果（C_NUM_DQ_PINS == 16）开始，则结束：gen_udqs_pullupdn_ds
PULLDOWN udqs_pulldown（.O（mcbx_dram_udqs））;
PULLUP udqs_n_pullup（.O（mcbx_dram_udqs_n））;
结束
endgenerate
注意：默认情况下，MIG 3.2（11.3）版本中将对这些更改进行处理。
将不再需要手动修改。
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