9.1i – PAR – “错误：位置：864 – 不兼容的IOB锁定在3.3V组的LVDS_25输入上的同一个存储区”

问题描述

使用ISE 9.1i，我收到以前在ISE 8.2i中没有收到的错误。

错误：布局：864 – 不兼容的IOB被锁定到同一个Bank3

冲突的IO标准是：

IO标准1：名称= LVCMOS33，VREF = NR，VCCO = 3.30，TERM = NONE

锁定的IOB列表：

fn_tst

core_rst_pin

IO标准2：名称= LVDS_25，VREF = NR，VCCO = 2.50，TERM = NONE

锁定的IOB列表：

clkn_400

clkp_400

这是一个有效的错误消息，是什么导致它？

解决/修复方法

这是一个有效的错误。虽然LVDS缓冲器由VCCAUX供电，但差分终端由VCCO供电，需要置于2.5V bank中。

在ISE 9.1i中添加了此检查，以确保在硬件中看到正确的差分终端。由于计划在未来的ISE版本中修复的软件缺陷，错误消息中列出的TERM = NONE不保证不使用差分终止。

有关片上输入差分匹配的更多信息，请参考（Xilinx答复17244） 。