LATTICE FPGA DDR3 控制器的类型选择DIMM 1T/2T timing模式指的是什么？xilinx_wiki6年前发布3642 我在使用LATTICE DDR3控制器IP时，由于我使用的DIMM,里面有一个选项是1T/2T Mode，请问这个是什么意思，这个功能有什么用处？ FPGAlattice
似乎没有人知道1T和2T DRAM Command Rate究竟是什么，我们知道2T性能下降，但不知道它到底是什么。好吧，我发现一个网站在2001年写了一篇文章，它告诉我那是什么。大体上，Command Rate是指初始内存提取发生所需的时间。让我解释：
当MC（存储器控制器）首次尝试访问存储器时，它必须锁定存储器组，称为CS（片选）。然后继续查找列（CAS），行（RAS），然后将数据返回给CPU。现在，1T意味着需要1个时钟周期才能“找到”存储体，而2T需要2个时钟周期才能“找到”存储体。但是这里有一点比较奇怪，就是只会在第一次尝试从内存中提取数据时发生这个情况，而对该芯片的所有后续访问都是在没有延迟的情况下完成的，这使得在初始芯片提取后Command Rate为空。
片选是在单个时钟中执行还是需要两个时钟，取决于多种因素。其中最关键的因素似乎是系统内的BANK数量，必须从中选择正确的BANK。在单个BANK配置中，系统已经知道所有数据都必须在该BANK内。如果存储器有多个BANK，则需要另外做出决定。这意味着整个系统内存池中的芯片数量对于DRAM命令的执行速度起着重要作用。这非常简单，但要说明一点，这意味着只有8个芯片（单个存储体）的单个DIMM在整个可能的存储空间内比2个DIMM更容易和更快地解码，每个DIMM具有2个存储体。
其他因素涉及DIMM插槽与内存控制器的距离，最重要的是DIMM PCB的质量。如果使用具有相对较高噪声水平的4层PCB，则很有可能达到1t Command Rate。另一方面，6层PCB具有更好的信噪比，并且可以大大加快解码（在PCB的水平上）。因此，即使在不同的DIMM上使用相同的芯片，也不足为奇，PCB的差异将决定模块是否能够以1T或2T的命令速率执行 “
CMD速率（DRAM命令速率），也就是首命令延迟。
由于DDR记忆体在寻址时，首先必须经过决定P-Bank（Physical Bank）的程序
（透过DIMM上芯片选择讯号进行），然后才是L-Bank /行启动与列位址的选择。
此参数的含义是当P-BANK完成后，多少时间可发出具体的寻址L-BANK命令。
在AMD K8主机板的BIOS设定中，通常会有CMD Rate这个选项，
可以调整成自动，1T或2T。一般情况下，是调成自动模式，让系统自行决定时序。
好一点的DRAM模组，可以尝试调成1T来增加系统效能。不过，
随着主机板上记忆体模组的增加，系统的负载也相对提升，
过短的命令间隔可能会影响系统稳定性。通常只插2条DIMM时，
可以1T Command来为系统效能加速，但DIMM插槽全部安装记忆体，
系统处于满载（Full loading）的情况下，将可能只可使用2T模式，以确保系统稳定性。