三星宣布2027年量产1.4纳米工艺芯片-FPGA新闻资讯社区-FPGA CPLD-ChipDebug

三星宣布2027年量产1.4纳米工艺芯片

目前,新一代骁龙 8 Gen2 系列旗舰产品已经进入了研发推进的全新阶段。不久前曾有一款型号为SM-S9180的新机通过了3C 认证。
图片[1]-三星宣布2027年量产1.4纳米工艺芯片-FPGA新闻资讯社区-FPGA CPLD-ChipDebug
认证信息显示,这款新机的申请人是三星(中国)投资有限公司,制造商是三星电子株式会社,可选型号为EP-TA800的旅行充电器,支持最高 25W 输出。
相关的推测认为,这款新机可能就是三星新一代的S系列旗舰。而在新机之外,三星的产品销售情况也备受关注。
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近日,新浪科技的一份报道中提到,“10月4日,网站流量统计服务网站Stat Counter提供的数据显示,iPhone在韩国智能手机市场中的份额持续提高,从6月的27.28%提高至9月的34.1%。而三星的市场份额却一路下滑,市场份额从6月的66.11%先后跌至7月的63.98%、8月的59.47%,9月跌幅继续扩大,市场份额跌至58.38%,三星在韩国国内市场份额跌破60%尚属首次。”
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同时,来自网易科技的一份报道提到,“三星电子公司第三季度利润可能暴跌25%,这是近三年来首次同比下降,原因是经济低迷削弱了对电子设备及其驱动芯片的需求”“市场研究机构Refinitiv SmartEstimate针对22位分析师的调查显示,作为全球最大存储芯片和智能手机制造商,三星的营业利润可能在第三季度降至11.8万亿韩元(约合83亿美元)。”
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至于芯片相关业务,近日的报道也曾提及。
财联社9月30日消息,三星电子将下半年芯片销售预测下调32%。
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此外,新浪科技的报道显示,“三星电子3日宣布于2027年量产1.4纳米工艺的芯片。”
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消息中提到,“三星电子当天在美国加州硅谷举办‘三星晶圆代工论坛&SAFE论坛’并公布涵盖上述内容的晶圆业务路线图和新技术。在时隔三年线下举行的这场论坛上,三星首次公布1.4纳米芯片量产计划。三星电子主管晶圆代工业务的社长崔时荣表示,将基于下一代晶体管结构全环绕栅极(GAA)技术不断创新工艺,计划2025年引进2纳米芯片制造工艺,2027年引进1.4纳米工艺。”
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