VelTEXI/PRO SSO指南：我如何解释与LVDCI I/O使用的不同阻抗（参考电阻）？

描述

V毒蝎II平台FPGA用户指南和ViTEX II Pro平台FPGA用户指南（设计考虑-GT；使用单端选择超资源-＆SO准则）表明，对于LVDCI的SSO具有50欧姆阻抗（LVDCIIVDV2的25欧姆）。

请参阅“ViTeX II Pro和ViTEX II Pro X FPGA用户指南”：

HTTP://www. xLimx.COM/Sputto/DooptActudi/UsSeriGudieS/UG012PDF

请参阅“ViTEX II平台FPGA用户指南”：

HTTP://www. xLimx.COM/Sputto/DooptActudi/UsSeriGudieS/UG0.2.PDF

如果使用不同的参考电阻值，如何计算其他阻抗值的SSO？

解决方案

驱动强度与电阻器一致：较高的阻抗=更少的驱动强度＝更多的SSO每功率/接地对相同的接地反弹。

例如：

对于使用LVDCI18和FG封装的65欧姆参考电阻器，可以进行如下计算：

（SSO在65欧姆）＝65/50＊（SSO在50欧姆）＝130%＊（SSO为50欧姆）。

从表中，对于50欧姆＝13的LVDCI18 18的SSO。根据计算，你可以在65欧姆有16个单点登录。

交替地，你可以保持相同数量的SSO，并有33%的地面反弹。

对于LVDCIIVDV2 I/O标准，从计算中使用一半的数字。

例如：

在50欧姆的LVDCI2DV2Y18 25欧姆＝1/2的LVDCI18 18。

同样地，对于LVDCIIVDV2Y18，32.5欧姆＝1/2的LVDCI18，在65欧姆＝1/2×16＝8。

有关处理SSO噪声的更多信息，请参见（Xilinx XAPP68）：在大型FPGA中管理地面反弹。