VIVADO 2017.1 [BRAM推理]——如何在使用非对称端口宽度时实现VIVADO综合的更好的块RAM利用——推断RAM和XPM(简单双端口)-Xilinx-AMD社区-FPGA CPLD-ChipDebug

VIVADO 2017.1 [BRAM推理]——如何在使用非对称端口宽度时实现VIVADO综合的更好的块RAM利用——推断RAM和XPM(简单双端口)

描述

使用时不对称端口在简单的双端口RAM中,综合比需要消耗更多的块RAM(BRAM)块。

这些工具应该推断正确数量的乳房。

例1:

XPM存储器(SDPRAM),其中端口A为512×64,Port B为2K×16。

为此只需要一个RAMB36块。

当实现时,综合将使用两个RAM36块。

一个单一的RAM36块应该是所有需要的。

当使用XPM FIFO宏时,也会发生这种情况。

例2:

一个简单的双端口RAM,其中端口A是48位X 512,端口B是12位X 2048。

这里,综合使用1 RAMB36和1 RAMB18,而仅需要一个RAMB38。

解决方案

建议在使用双端口RAM(推断或XPM内存)的非对称端口宽度配置时,使用以下参数设置以获得更好的BRAM应用。

这适用于ViVADO 2017.1和2017.2。

参数设置为:

StIpPARAM.COMPUCTION.DRONTURSOR.RANDMORESORATIONS“Rt::StIGUDATABASEYSDPDMODE真”

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