描述
校准输入端接为DDR2和DDR3存储器接口提供片上精确校准终端,与其他可用终端选项相比,具有出色的信号完整性和更少的元件数量。
注意:本答复记录是Xilinx MIG解决方案中心(Xilinx答复34243)的一部分 。 Xilinx MIG解决方案中心可用于解决与MIG相关的所有问题。无论您是使用MIG开始新设计还是对问题进行故障排除,都可以使用MIG解决方案中心来指导您获取正确的信息。
解
MIG可为DDR2和DDR3存储器接口提供校准的片上输入终端。当在MIG GUI的FPGA选项屏幕中选择此选项时,它为顶级MIG生成的设计设置参数CQ_SKIP_IN_TERM_CAL = 0,该设计在mcb_soft_calibration.v / .vhdmodule中启用输入终止校准算法。输入端接校准通过IODRP2_MCB模块实现(仅通过MIG MCB设计实现),并将双向存储器接口信号DQ,LDQS_p / n,UDQS_p / n的内部输入阻抗与电路板上连接的外部电阻相匹配RZQ引脚和地之间。因为校准的输入终止是通过软校准逻辑实现的,所以属性IN_TERM = NONE被应用于MIG生成的UCF中的双向存储器接口信号。
软校准模块使用MIG工具(或EDK)生成的两个I / O引脚(RZQ和ZIO)来执行输入终端的校准。 RZQ是所有MCB设计的必需引脚。使用校准输入端接时,必须在RZQ引脚和地之间连接一个电阻,其值为所需输入阻抗的两倍(2R)(例如,一个100欧姆电阻,以实现Vtt的50欧姆有效输入端接) )。
IN_TERM_RZQ_ZIO.JPG
内部终端电路在每个dq和dqs引脚上产生,从I / O到VCCO的等效电阻为2R,从I / O到地的另一个等效电阻2R,有效地创建了一个R到Vtt的戴维宁等效电路(VCCO / 2) )。只要dq和dqs引脚为3态,就会出现此内部终端,并在驱动时禁用。
IN_TERM_DQ.JPG
IN_TERM_DQS2.JPG
对于不使用校准输入端接的设计,RZQ引脚应保留为无连接(NC)引脚。此外,RZQ引脚和ZIO引脚都必须放在与存储器接口引脚相同的I / O bank中。
ZIO引脚仅用于使用校准输入端接的设计,并且必须是分配给MCB组内有效封装引脚(即,绑定I / O)位置的无连接引脚(即,未连接到任何PCB走线)。可以在UCF约束文件中找到RZQ和ZIO引脚的默认位置。
有关校准输入端接的更多详细信息,请参阅Spartan-6 FPGA存储器控制器用户指南 (UG388)中的“MCB操作>校准>阶段1:输入端接”部分: http : //www.xilinx.com/support/documentation/user_guides/ ug388.pdf
另请参阅: (Xilinx答复34055) MIG Spartan-6 FPGA MCB – RZQ和ZIO引脚有哪些要求?
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