LATECIECP3 ODT(在芯片终端上)最初是为DDR3接口支持而实现的。在验证过程中,我们发现,内部VTT耦合噪声负面影响数据完整性的数据垫与一些特定的数据模式。为了避免这种数据模式依赖,建议使用外部终端电阻代替LATECIECP3 ODT。在LATECIECP3中使用的外部终止方案是在LaTeCeCp2/m和LaTiCeExp2中使用的相同的终止方案,并且它是从许多成功的应用中被证明的解决方案。
LATECIECP3 ODT(在芯片终端上)最初是为DDR3接口支持而实现的。在验证过程中,我们发现,内部VTT耦合噪声负面影响数据完整性的数据垫与一些特定的数据模式。为了避免这种数据模式依赖,建议使用外部终端电阻代替LATECIECP3 ODT。在LATECIECP3中使用的外部终止方案是在LaTeCeCp2/m和LaTiCeExp2中使用的相同的终止方案,并且它是从许多成功的应用中被证明的解决方案。
没有回复内容