是。对于Altera的SRAM器件,alpha粒子可能会使存储节点失去电荷,从而改变编程信息。发生这种情况时,必须重新配置器件或产生的行为是不可预测的,必须重新配置。尽管存在这种可能性,但由于α排放导致的故障率很低,并且在大多数情况下不是问题。
Altera的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和FLASHLOGIC®器件将不会受到影响。由于电荷存储在EEPROM和闪存器件的浮动多晶硅栅极中,因此它们对α粒子击中的能力要高得多。因此,当被α电荷撞击时,EEPROM单元不会被放电。
Altera的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和FLASHLOGIC®器件将不会受到影响。由于电荷存储在EEPROM和闪存器件的浮动多晶硅栅极中,因此它们对α粒子击中的能力要高得多。因此,当被α电荷撞击时,EEPROM单元不会被放电。
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