安路TangDynasty(TD)中BRAM 模块IP使用

1年前更新

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AL3 系列器件支持嵌入式存储器模块（Embedded Memory Block）。 AL3-10 中包括
两类 EMB： EMB9K 和 EMB32K。
EMB9K 每块容量 9Kbits，多个 EMB9K 模块排成一列，按列分布在可编程功能块
(Programmable Function Block, PFB)的阵列中。 EMB32K 每块容量 32Kbits，分布在 IO 空
隙中。

3.5.1 创建 BRAM 模块
4. 选择 Tools → IP Generator，选择“Create an IP core”

5. 输入模块名称并选择存储路径。此处，若是在有工程的基础上创建 BRAM 模块，
存储路径和器件名称将与工程保持一致。若在没有工程的基础上创建 BRAM 模
块，用户需手动设置保存路径和器件名称。

6. 在 Function 窗口 Primitive IP 展开 Memory → RAM，双击 RAM 打开配置界
面

7. 填写 “Component Name”并设置相应参数

本手册以 EMB9K 为例介绍 AL3 系列器件 BRAM 模块的使用。
EMB9K 可实现：
 单口 RAM (Single Port RAM)
 双口 RAM (Dual Port RAM)
 简单双口 RAM（Simple Dual Port RAM, 也称为伪双口）
EMB9K 模块支持的功能特色有：
 9216 （9K） bits / 每块
 A/B 口时钟独立
 可单独配置 A/B 口数据位宽，真双口从 x1 到 x9，支持 x18 简单双口（一写一
读）
 9 或 18 位写操作时带有字节使能（Byte Enable）控制
 输出锁存器可选择（支持 1 级流水线）
 支持 RAM 模式下数据初始化（通过初始化文件在配置过程中对 EMB9K 进行
数据初始化）
 支持多种写操作模式。可选择只写（No Change），先读后写（Read First），先写
后读（Write First）三种模式
 支持 Byte Enable 功能。
若勾选“Debug Enable”前面的复选框， TD 会默认 EMB 的模式为 Single Port RAM,
在这种情况下，端口 B 将被占用，端口 A 的数据可进行回读，方便用户通过 BramEditor
进行 Debug。其中， EMB9k 以面积优化为主， EMB9k(fast)以时序优化为主。
Byte Enable 是指 BRAM 的输入数据 port 位宽为多个 byte 时，在读数据时用一组
byte enable 信号来分别控制每个 byte 写入与否。在界面上可选择 Byte Write Enable

的值为 None 或 8 或 9。当 byte-write 为 None 时，表示不启动 byte enable 功能；当
byte-write 为 8 时， A 口与 B 口（若有 B 口）的数据宽度必须为 8 的整数倍，倍数的
值被用作 wea 与 web 的宽度；当 byte-write 为 9 时， A 口与 B 口（若有 B 口）的数据
宽度必须为 9 的倍数，倍数被用作 wea 与 web 的宽度。当启动 byte enable 功能时，
不建议使用 BRAM32K，原因是当 BRAM 的深度比较小时，会浪费很多内存。
8. 添加初始化文件
TD 的初始化文件支持用户用第三方 mif(memory initialization file)格式描述，或者用
verilog 存储空间初始化 dat 格式来描述。
 mif 格式描述如下：
mif 格式的初始化文件包含每一个初始化地址和数据，并且必须定义内存数据的深
度和宽度。用户可以将数据和地址格式定义为二进制 BIN 、十六进制 HEX 、八
进制 OCT 、无符号十进制 UNS 等。数据的值必须和数据格式相匹配。
 dat 格式描述如下：
内存数据可以存储在一个以十六进制为地址的文件中，其中，地址以 “@”表示。起
始地址由用户自己定义，根据内存数据的深度可以相应的确定结束地址。为了能够
使数据和地址清晰对应，通常会给文件添加可识别的地址标志。若初始化文件很大
时，也可直接省略地址。
为 BRAM 模块添加初始化文件时，可勾选“Load Init File”前面的复选框，并选择需
要添加的文件，当在右下角的下拉框中选择.mif 格式时，在文件夹中只提供.mif 文件供
用户选择，如下图所示。