为什么我只需要在莱迪思FPGA侧的DDR2 / 3(双倍数据速率)数据信号上进行外部VTT终端,而不是地址,命令和控制信号?-Lattice-莱迪斯社区-FPGA CPLD-ChipDebug

为什么我只需要在莱迪思FPGA侧的DDR2 / 3(双倍数据速率)数据信号上进行外部VTT终端,而不是地址,命令和控制信号?

DDR(双倍数据速率)存储器接口使用SSTL信令,这需要在接收器侧并行终止VTT。数据的外部VTT终端在读取操作期间用于存储器控制器侧。。由于地址,命令和控制信号是从存储器控制器输出的,因此在控制器侧不需要VTT终端。。因此,地址,命令和控制信号需要在存储器端终止到VTT,因为DDR2 / 3存储器是这些信号的接收器。要求数据信号上的外部终端电阻位于接近。尽可能使用ECP3引脚,走线长度不超过600密耳(0.6“)。我们建议您运行信号完整性(SI)仿真以确定最佳终端值。如果SI仿真不可用,则并联终止100~120欧姆。建议使用VTT for DDR3(DDR2为75欧姆)。

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